Infineon IRFP260NPBF HEXFET® MOSFET Transistor 200V 50A TO-247AC

高效能功率MOSFET：Infineon IRFP260NPBF的技术突破与应用场景解析

在现代电力电子系统中，功率MOSFET作为核心元件直接影响着设备的效率与可靠性。Infineon Technologies推出的IRFP260NPBF HEXFET®系列MOSFET凭借其卓越的电气性能和工业级稳定性，成为电源管理、电机控制及新能源领域的理想选择。这款TO-247AC封装的N沟道MOSFET具备200V耐压与50A连续工作电流能力，通过优化设计显著降低导通损耗，为高功率密度应用提供创新解决方案。

关键参数解析

IRFP260NPBF的核心优势在于其突破性的参数组合：

漏源电压(Vdss)	200V
连续漏电流(Id)	50A
导通电阻(Rds(on))	40mΩ @ 28A, 10V
栅极电荷(Qg)	234nC @ 10V
工作温度范围	-55°C ~ 175°C

这种设计使其在硬开关和高频应用中表现出色，特别适合需要快速开关和低能量损耗的场景。

工业级可靠性的技术保障

采用Infineon先进的HEXFET®沟槽工艺，该器件通过优化电场分布有效提升了雪崩耐量。±20V栅极电压容限确保在复杂电磁环境中稳定运行，而4057pF的输入电容(Ciss)设计则平衡了开关速度与驱动功率需求。符合RoHS标准的无铅封装工艺，在确保环境友好性的同时，通过100%雪崩测试验证器件的长期可靠性。

多场景应用适配能力

该MOSFET广泛应用于：

• 工业电源系统
• 电机驱动与伺服控制器
• 电动汽车充电设备
• 不间断电源(UPS)
• 太阳能逆变器

其300W(Tc)的最大功耗设计配合TO-247AC封装的散热优势，可在恶劣工况下保持稳定输出。

设计优化建议

为充分发挥IRFP260NPBF性能，建议设计时注意：采用低电感PCB布局以匹配234nC的栅极电荷；在4V栅极阈值电压下确保驱动电路的稳定性；利用40mΩ导通电阻优势设计同步整流电路；通过并联使用提升系统功率容量时需注意均流设计。

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