Infineon IRLS3036TRLPBF HEXFET® MOSFET N-Channel 60V 195A D2PAK

Infineon IRLS3036TRLPBF HEXFET® MOSFET: 高性能功率管理解决方案

在当今高速发展的电子工业中，功率半导体器件的性能直接决定了系统的效率与可靠性。Infineon Technologies（英飞凌科技）作为全球领先的半导体制造商，其推出的IRLS3036TRLPBF HEXFET® MOSFET凭借卓越的电气特性和坚固的机械结构，成为工业电源、电机驱动和能源管理系统中的理想选择。这款N沟道增强型MOSFET以60V耐压、195A持续漏极电流的规格，结合D²PAK表面贴装封装技术，在功率密度与热管理方面实现了突破性创新。

核心参数解析

IRLS3036TRLPBF采用先进的沟槽栅极技术，实现了2.4mΩ（最大值）的超低导通电阻。在VGS=10V的工作条件下，该器件可承载高达165A的漏极电流，其2.5V的栅极开启电压阈值确保了与标准逻辑电平驱动器的兼容性。[email protected]的栅极电荷参数，配合11210pF@50V的输入电容，使其在高频开关应用中展现出优异的动态性能。

工业级可靠性设计

该功率MOSFET支持-55°C至175°C的宽工作温度范围，其±16V栅极电压耐受能力显著提升了抗电压尖峰能力。D²PAK封装结构通过优化焊线工艺，将热阻降低至3.8°C/W（典型值），配合380W@Tc的功率耗散能力，确保器件在极端工况下的稳定运行。符合RoHS标准的环保封装设计，满足现代工业设备对无铅制造的严格要求。

多场景应用适配

在电力电子领域，IRLS3036TRLPBF展现出卓越的适应性。其在以下场景表现尤为突出：

• 工业伺服电机驱动器：低导通损耗确保98%以上的能效转化率
• 不间断电源系统：快速开关特性支持50kHz以上的工作频率
• 电动汽车充电桩：175°C结温耐受能力适应高环境温度
• 智能电表：±250µA的栅极漏电流控制实现精确功率计量

HEXFET®技术优势

作为Infineon HEXFET®产品家族的重要成员，该器件采用专利的六边形晶胞设计，通过优化载流子分布显著降低导通压降。其特有的沟道结构在4.5V-10V驱动电压范围内保持稳定的Rds(on)特性，兼容主流栅极驱动IC的同时，将开关损耗降低30%以上。这种创新的结构设计使其在硬开关和同步整流应用中均能保持优异性能。

质量与供货保障

该产品已通过IEC 60747-9标准认证，符合工业级器件的可靠性要求。原厂提供的Tape & Reel包装形式（TR）支持SMT产线自动化贴装，3200件/卷的批量供应确保大规模生产的连续性。当前现货库存充足，支持最小1片起订，可满足研发验证与批量生产不同阶段的需求。

Tags: Power Electronics, Motor Drive, Industrial Automation, Energy Management, MOSFET