Infineon IRLR6225TRPBF MOSFET N-Channel 20V 100A DPAK
- Brand: Infineon
- Product Code: IRLR6225TRPBF
- Availability: In Stock
$0.35
- Ex Tax: $0.35
高效能功率管理：深入解析Infineon IRLR6225TRPBF MOSFET
在电力电子领域，功率MOSFET的性能直接影响系统的效率与可靠性。Infineon Technologies推出的IRLR6225TRPBF作为HEXFET®系列的旗舰产品，凭借其卓越的导通特性与高耐压设计，成为工业电源、电机驱动和汽车电子应用的首选元件。这款N沟道增强型MOSFET在20V漏源电压下可承载高达100A的连续漏极电流，其4mΩ（典型值）的超低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，为高频开关应用提供了理想的解决方案。
核心参数解析
IRLR6225TRPBF的栅极驱动电压优化设计使其在2.5V至4.5V范围内均可稳定工作，确保与现代控制器的兼容性。72nC的栅极电荷（Qg）配合3770pF的输入电容（Ciss），实现了快速开关响应，有效减少开关损耗。该器件支持±12V栅极电压，工作温度范围覆盖-50°C至150°C，满足严苛工业环境的可靠性需求。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| Rds(on)最大值 | 4mΩ |
| 栅极电荷(Qg) | 72nC |
应用场景与设计优势
采用D-Pak（TO-252）封装的IRLR6225TRPBF凭借其紧凑的尺寸与高功率密度，特别适用于空间受限的设计。其63W的最大功耗（Tc）配合表面贴装技术，可轻松集成于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中。Infineon独有的沟槽栅技术确保了器件在高频工作下的稳定性，同时降低了电磁干扰（EMI）。
在电动汽车充电系统中，该MOSFET的低导通损耗特性可将转换效率提升至95%以上。对于工业伺服电机控制，其快速开关特性可精确调节转矩输出，减少发热并延长设备寿命。此外，器件内置的雪崩能量保护功能，在感性负载切换时提供额外的可靠性保障。
选型与采购指南
作为活跃于全球市场的标准产品，IRLR6225TRPBF提供Tape & Reel包装，最小起订量1件，现货库存达4943件。批量采购（2000件以上）可享受阶梯价格优惠，单价低至0.35美元。建议设计时预留至少1.5倍的安全电压裕量，并采用6层PCB配合2oz铜箔进行散热管理。
Tags: 功率MOSFET, Infineon HEXFET, DPAK封装, 高效电源管理