Infineon IRFP4768PBF HEXFET® N-Channel MOSFET | 250V 93A Power Transistor

在功率电子领域，设计工程师始终追求兼具高效能与可靠性的解决方案。Infineon Technologies 作为全球领先的半导体制造商，其 IRFP4768PBF HEXFET® N-Channel MOSFET 正是这一理念的杰出代表。这款采用 TO-247AC 封装的功率晶体管以 250V 耐压、93A 额定电流和超低导通电阻的特性，在工业电源、电机驱动和新能源应用中展现出卓越性能。

突破性技术规格定义行业标杆

IRFP4768PBF 凭借其创新的 HEXFET® 技术，实现了

17.5mΩ 最大导通电阻

（在 56A 漏极电流和 10V 栅极电压条件下），这项指标意味着更小的功率损耗和更高的能源转换效率。其

250V 漏源击穿电压

和

±20V 栅极电压耐受能力

的组合，使其在高压应用场景中保持稳定工作状态，特别适合太阳能逆变器、电动汽车充电系统和工业电机控制等严苛环境。

该器件的

270nC 栅极电荷

参数优化了开关速度与驱动损耗的平衡，配合

10880pF 输入电容

的设计，在高频开关应用中展现出优异的动态性能。其

-55°C 至 175°C

的工作温度范围，确保了在极端环境下的长期可靠性。

结构特性与应用优势

采用 TO-247-3 封装的 IRFP4768PBF 具备以下核心优势：

关键参数	数值表现
最大功耗	520W
栅极阈值电压	5V @ 250µA
连续漏极电流	93A
封装形式	TO-247AC

这种通过车规级验证的封装技术，不仅提供了优异的散热性能，还通过

通过孔安装

方式确保了机械稳定性。其

无铅环保

的制造工艺符合 RoHS 标准，满足现代电子产品的环保要求。

多领域应用解决方案

在实际应用中，IRFP4768PBF 展现出多场景适应能力：

• 工业自动化：伺服电机驱动中的高频开关应用
• 新能源系统：光伏逆变器的 DC-AC 转换电路
• 电动汽车：车载充电机（OBC）和 DC-DC 转换器
• 消费电子：高功率音响系统的电源管理

其

HEXFET® 沟槽栅技术

在降低导通压降的同时，显著减少了开关过程中的电磁干扰（EMI），这对医疗电子和精密测试设备尤为重要。

选型与采购指南

对于批量采购客户，我们提供

12,300 件的现货库存

，支持

起订量 1 件

的灵活采购模式。该器件在

Tube 包装

中的防静电保护设计，确保了运输和存储过程中的器件安全。

作为 Infineon 的授权分销商，我们承诺提供原厂质保和完整的技术支持，包括：

• 详细的应用电路设计指导
• 热管理方案优化建议
• SPICE 模型下载服务
• 失效分析技术支持

Tags: IRFP4768PBF, HEXFET, TO-247AC, N-Channel MOSFET, Power Electronics